年度晶圓出貨量首次突破200萬片，銷售收入和毛利率雙雙增長，32個(gè)季度連續(xù)盈利……這就是華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（“華虹宏力”）交出的2018年亮眼成績單。受惠于全球市場對特色工藝平臺及創(chuàng)新性制造技術(shù)的高度認(rèn)可，2018年華虹宏力的產(chǎn)能利用率高達(dá)99.2%，居于行業(yè)領(lǐng)先地位。在市場環(huán)境多變、中美貿(mào)易關(guān)系不確定性的情況下，華虹宏力為何能取得如此卓越成績？

近日，在第八屆年度中國電子ICT媒體論壇暨2019產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會上，華虹宏力戰(zhàn)略、市場與發(fā)展部科長李健以《電動(dòng)汽車“芯”機(jī)遇》為題，闡述了汽車電動(dòng)化下產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇，以及華虹宏力為擁抱這波機(jī)遇所做的戰(zhàn)略布局。從中，你我將得以管窺華虹宏力亮眼成績背后的選擇與努力。

功率半導(dǎo)體：未來新技術(shù)融合的時(shí)代召喚

縱觀全球半導(dǎo)體歷史，整個(gè)產(chǎn)業(yè)保持震蕩向上走勢。李健介紹道，疊加美國總統(tǒng)在任時(shí)間線后可見，克林頓、小布什和奧巴馬任期中，臺式電腦、功能手機(jī)、智能手機(jī)的興盛陸續(xù)對半導(dǎo)體市場起到了很好的刺激作用。隨后，2016到2018年，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長率高達(dá)20%以上；時(shí)值5G、人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等新技術(shù)蓬勃興起之時(shí)，智能汽車成為多技術(shù)融合載體，負(fù)擔(dān)起拉動(dòng)半導(dǎo)體快速上揚(yáng)的重任。

汽車雖然是傳統(tǒng)的制造業(yè)，但卻是個(gè)能讓人熱血沸騰的制造業(yè)，因?yàn)槠嚦休d了人類跑得更快、探索遠(yuǎn)處的夢想。在市場對節(jié)能減排和駕駛舒適性的更高要求下，新能源汽車逐步走向時(shí)代舞臺中央。有別于傳統(tǒng)燃油車，新能源汽車?yán)锏碾姍C(jī)、電池、車載充電機(jī)、電機(jī)逆變器和空調(diào)壓縮機(jī)等，都需要大量的功率半導(dǎo)體。據(jù)Strategy Analytics測算，傳統(tǒng)燃油車功率半導(dǎo)體用量僅71美元，而新能源汽車上功率半導(dǎo)體用量至少翻番，純電動(dòng)車（BEV）上更是大幅增長至384美元，增幅高達(dá)441%。汽車電動(dòng)化除了車輛本身的變化之外，后裝的零部件和配套用電設(shè)施市場，如充電樁，同樣帶來大量的功率器件需求。隨著汽車電子化的進(jìn)程推進(jìn)，為汽車帶來更強(qiáng)壯“肌肉”、讓汽車跑得更穩(wěn)健的功率半導(dǎo)體獲得大幅增長的同時(shí)，也帶動(dòng)功率半導(dǎo)體晶圓制造產(chǎn)業(yè)進(jìn)入突飛猛進(jìn)的高速發(fā)展期。

以時(shí)下很熱的IGBT舉例來說，電動(dòng)汽車前后雙電機(jī)各需要18顆IGBT，車載充電機(jī)需要4顆，電動(dòng)空調(diào)8顆，總共一臺電動(dòng)車需要48顆IGBT芯片。按照國內(nèi)2020年新能源汽車目標(biāo)銷量將達(dá)到200萬臺、后裝維修零配件市場按1：1配套計(jì)，粗略估算國內(nèi)市場大概需要10萬片/月的8英寸車規(guī)級IGBT晶圓產(chǎn)能（按120顆IGBT芯片/枚折算），全球汽車市場可能需要30萬片/月！

核“芯”技術(shù)：用研發(fā)創(chuàng)新贏得市場贊譽(yù)

在汽車電子化大潮涌動(dòng)之時(shí)，長期持續(xù)動(dòng)態(tài)追蹤市場變化的華虹宏力敏銳地洞察業(yè)界動(dòng)向并及時(shí)布局：華虹宏力是全球第一家關(guān)注功率器件的8英寸純晶圓廠，早在2002年已開始功率半導(dǎo)體的自主創(chuàng)“芯”路，是業(yè)內(nèi)首個(gè)擁有深溝槽超級結(jié)（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及場截止型IGBT（Field Stop，F(xiàn)S IGBT）工藝平臺的8英寸代工廠。產(chǎn)品線上，華虹宏力的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品全面涵蓋從200V以下低壓段、300V到800V的中高壓、以及600V到3300V甚至高達(dá)6500V的高壓段等應(yīng)用，聚焦于Trench MOS/SGT、DT-SJ和IGBT等，并密切關(guān)注GaN/SiC等新型寬禁帶材料的發(fā)展。