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12月7日，中恒微與中科海奧高功率電力電子聯(lián)合實驗室正式掛牌。中恒微董事長袁磊與中科海奧董事長陳滋健共同為聯(lián)合實驗室揭牌。雙方管理層代表參與揭牌儀式。
中恒微是國內專業(yè)的功率半導體器件制造商。在功率半導體模塊、組件自主創(chuàng)新方面不斷突破，掌握功率芯片封裝工藝開發(fā)，自動化高端制造能力，可靠性測試與系統(tǒng)應用技術能力。中科海奧立足合肥綜合性國家科學中心，致力于科技成果轉化，專注于高功率智慧能源產品研究開發(fā)，發(fā)揮直流變流電力電子核心設備技術優(yōu)勢，服務于新基建智慧能源基礎設施、數據中心及5G基站等直流微網建設。
本著自主創(chuàng)新和構建國內大循環(huán)的原則，中恒微與中科海奧不斷投入研發(fā)，實施核心器件的國內替換戰(zhàn)略。此次雙方共建聯(lián)合實驗室，是基于良好的信任，處于雙方長遠發(fā)展戰(zhàn)略上的考慮，雙方決定強強聯(lián)合，共同攜手，就新型功率半導體器件在高功率直流/直流電力變換、智慧能源等領域開展合作。
雙方相信，通過高功率電力電子實驗室的建立，能夠進一步提升新型高功率半導體的設計、封測、拓撲集成與應用開發(fā)水平，進一步通過協(xié)同開發(fā)提升核心功率器件的可靠性和性價比，實現(xiàn)雙方未來的市場擴張策略并獲得市場份額，以創(chuàng)造更大的商業(yè)價值。
目前，聯(lián)合實驗室已制定出詳細計劃，搭建拓撲設計、電磁設計、熱設計實驗和應用測試平臺。雙方共同研討功率芯片的DBC基板集成，采用最新的銅線鍵合工藝，大大提高了載流密度。因此直接銅鍵合襯底適合于高功率應用。雙方共同設計的IGBT與SiC集成模塊、定制化IPM模塊和功率組件進一步實現(xiàn)了高功率、高頻率、高效率的應用，前景可期！
Hefei Cpower Technology., Ltd.
